国产刻蚀机现状

➢中微的非美零部件率做得最好，中微和北方华创至少60%以上都能达到，但还有一些绕不开。有几个关键部件是射频发生器、ESC（Echuck）和真空压力表。最先能够实现的应该是ESC。

➢中微的CCP做得相当出色，华创的ICP可圈可点。中微的ICP也发展得非常迅速，已经卖到英特尔关键制程，因为有CCP的沉淀，所以做起来很快。

➢中微切入长江存储时非常重视，在长存的总腔体数最高，超过美国和日本的头部竞对，而且打入台积电的5nm非关键层也很不容易，前景比较看好。华创的ICP相对一般。

➢中微在40/45nm逻辑芯片领域已经有量产经验了，但是28nm需要切换到金属掩膜的大马士革工艺，中微还在验证中，没有达到完全量产的水平。华创可以做到40/45nm，28nm也没有。

Q:有报告估测14nm制程刻蚀要达到60多次，相较28nm提升60%，7nm140次，5nm可能会200次以上。芯片制造不同纳米制程对刻蚀的需求，主要区别点是什么？

ES:从28nm到14nm，再从14nm到7nm，它的蚀刻步骤高，主要是因为它的MMP就是minimummetalpitch，变小了之后，由于光刻的限制。光刻比如说7nm以上的制程都还是用到DUV，deepUV，就是KrF、ArF这样的制程，那它是有限制的，不像EUV。DUV的话，一般我们理论认为DUV可能做到38-40nm的MMP，但是你要把它继续做小的话，没办法。怎么办？它就doublepatterning，就是来两次曝光显影。

这里面又有2种做法。一种叫LELE，叫litho-etch-litho-etch，就做一次photo、显完一次影etch一次，再做一次显影再做一次，这叫litho-etch-litho-etch，简单来讲这样就double了。当然了，不是所有的layer都需要特别小的这种线宽或者是孔径。所以刚才你提到的比如说从28到14提高了60%，其实就是前段和后段这种线宽也好、孔径也好，它要做到小的话，就要用双倍的这种显影来做。

还有一种叫SADP，叫self-aligneddoublepatterning，那个相对来说现在是比较成熟的技术。LELE可能14nm用得比较多，LELE后面到了10nm、7nm为什么不用了？是因为litho-etchlitho-etch要错位的。就是这边显完影曝开之后这个地方是留着的，接下来要往下吃的，但是在下一步吃之前，你得再coating一层，把旁边的位置给它让开。这样随着线宽越来越小，你要错位的层数越来越多，那就不太好做了，self-aligneddoublepatterning比较好。现在对蚀刻制造的要求就是精度要求要高。

现在其实这种情况，因为你也谈到了14、28这些，那主要就是在logic产品里面会用到的，像中芯，其他没了。国外的我们不谈，因为它们能买到，三星也好、台积电也好，或者是哪家也好，它能买到EUV，EUV的就不需要这么麻烦了，因为它的波长已经到了13.5nm，所以一下子就能铺得很小。

对于etch，主要的一个挑战是什么，或者说相较于28、40、45这种制程，主要就是蚀刻的设备它要求的精度要高，还有一片wafer的面内均匀度要控制得好。因为你本来线宽就小了，你如果是做得小，然后你的均匀度做得不好，或者孔错得不好的话，那这份wafer就没法要了。所以对于蚀刻的设备要求就是要精度高。在advance的一些技术，我觉得倒也未必。可能做28nm的蚀刻设备，到14nm或者10nm在做的时候，它相较于28的generation的这个机台来讲，特别是整个在产品上有大的更改，没有，它的要求就是加了一些小的改善的功能，比如说在边边能够调整gap，或者有一些ALE的功能。就是对设备的响应速度要求非常高，然后加一些function在里面。台数那就不用讲了。你刚才讲了14nm就比28nm多了60%的蚀刻的层数，那蚀刻的设备要求就从28到14的话，那翻倍还不止了。

所以设备的要求就是精度要高，台数要求就是台数要多。工序就是一些重复的工序，就是套娃式的，就是litho-etch-litho-etch，倒也没有多出一些特别的、新的工序出来，反而是在原来的工序上不停地做一些重复。价格方面不好意思，这个我了解不是很多，大概是这样。

Q:目前整个半导体下行周期之下，叠加美国的设备出口管制限制，您观察到国内一些主流的晶圆厂，下半年或者说10月7号禁令到现在，对蚀刻设备的需求情况或者订单情况有什么变化？

ES:这个明显是有下行的趋势的，这个很明显，从两个大块，逻辑芯片和memory芯片，memory芯片又分3D和DRAM，先说memory。Memory来讲，我们国内2家最大的，一个做3D的，一个做DRAM的，就是长存和长鑫，一个合肥、一个武汉。那武汉就不用讲了，它直接进入黑名单了，它现在2个厂，一厂和二厂。

一厂其实已经有部分产能可以，它一厂主要是量产128层的3DNAND，有很少的一部分产能可以run232层的。二厂已经建好了，但是正好赶到了美国的政策，二厂的机台movein了一点了，整个厂的5-10%，很少，突然就停滞了，一宣布之后像美系的那些大厂，直接第二天就全部都撤掉了。Even在很久以前，比如说在制裁之前下的那些订单PO什么的，这些美国大厂直接就退给它们，就说政府要求，我也没办法，虽然我很想做你的生意。所以它现在处于一个基本停滞的状态，二厂。

一厂能够生产，但是遇到的问题是它进入黑名单，128以及128以上的这些制程都是不能run的，理论上来讲。也就是存在一个设备它已有了，但设备它是消耗品，它得不停地更换parts，就是机台不能卖了，对不起，parts也是同样不能卖的，所以它就面临着parts紧缺的问题。虽然每个fab厂都有一个所谓的安全库存，但是安全库存那是针对于行情好的时候，安全库存3个月、5个月没问题，但是就算YMTC有一些预料或者怎么样，安全库存备个一年，现在基本上也快停滞了。所以它一方面要调整好，对于这些管制的parts来讲，它怎么寻找替代品。

第二，从国际上来讲，现在DRAM也好或者3D也好，库存量非常高。因为疫情以来，大家看到好像PC、手机，尤其是线上的教学或者是线上的会议之类的，使得PC的需求非常高，大家都拼命囤，就不停地在生产。现在库存已经高位了，不知道你们有没有看到像三星、海力士都已经下调了产品的价钱了，这样的话国内就更难了。它们库存又高，再一降价，国内看到这种情况，它本来也有库存，价钱又被人家逼了，可能它就会减产。DRAM也是一样的，长鑫在中国来说算是老大，但是DRAM它也就到D19这个generation，其实量产也就Fab1，基本上不到10万片。库存可能相对于国际大厂来讲，美光、海力士、三星、Toshiba来讲，可能稍微少一点。但是它后面要谨慎了，G1对于它这个厂来讲，其实只是一个趟趟水的制程，它不盈利的，之前我听到的说法是，长鑫的这个厂基本上能做到10万片的话，将将收支能平衡这样一个情况。

那现在大家也都在降价，它怎么办呢？它是继续生产降价卖还是怎么样，降价卖肯定就面临亏损。G3这个generation之前在1月份之前是说被美国也禁掉了，就是美国之前对DRAM的要求是18和18以下的制程，美国的设备是不允许卖设备的。但是好像近期它们得到的消息，因为种种原因美国是放开了它所谓的D17可以量产，但是它D17良率不好，还没有客户，所以也比较惨。

国际上来讲也是，像DRAM的话，DRAM是最糟糕的，3D好像还好一点，DRAM最大的就是海力士、三星和美光，它们库存又是在高位，现在各家都在裁员，减少支出，然后降价。所以现在来看，我们目前或者说大家的共识是至少要看到今年的Q3，可能再根据实际情况，因为现在形势也多变，不好说，看看会是什么样情况。对于蚀刻设备来讲，现在的订单量明显是减少的，包括在美国去年颁了这个禁令之后，像Lam也好，美国的2个厂商也好，它们直接宣布2023年的revenue将近砍掉25-30%，revenue少就说明它卖得少，预测大概是这样。

Q:关于逻辑芯片受到的影响，中芯国际请您再看一下？

ES:我个人认为或者说其他家认为，中芯影响不是很大。为什么？因为中芯其实早在2018年美国第一次做这个禁令的时候，那个时候影响是最大的。那它通过4年的自救，中芯现在说白了它7nm是能够产的，只不过因为它没有EUV，没有极紫外光的光刻机，它用DUV，就刚才我一开始跟你提到的这个。它用doublepatterning的方式，就是多重曝光的方式，用DUV的方式做成曝光，能够达到线宽缩小，但是这个不好的一点就是它的cost会非常高。你别看EUV光刻机价钱很高，但是中芯现在用DUV，一道layer，就是一个loop，比如说AA也好，或者fin这个loop也好。打个比方它可能做10次才能达到它们理想的线宽，但是可能EUV只要做2次就够了，所以这里面就5倍的一个差，cost会比较高。

当然了，虽然我们了解下来7nm其实是有一些良率或者之类的，但是具体有没有客户，因为涉及到很敏感的话题，它们也没给我们透露，但是陆陆续续有一些小的miniline在跑了。其实14已经在正式量产了，说白了中芯，对它们来讲能够国产替代的基本上国产替代了，没有国产替代的，它们以前买的一些设备其实也是能够生产的，那中芯对logic来讲影响不是很大。

中芯因为摊子很大，整个的8寸也有MegaFab上海的，然后12寸的也是上海的八厂，还有newfab在做28和14，14小量产，28是主流，北京的话40、45，天津的是8寸，深圳的8寸、12寸都有，那都是lowend的。Highend的这些制程主要是上海八厂和新fab在量产。华力来讲的话，五厂和六厂是，在金科路这边的这个厂其实也是lowend制程，没有量产28，只是40、45和55CIS，康桥的厂是六厂，二厂、三厂现在建好了，但是后面怎么弄还不清楚。六厂主要量产的是28。14的话，不知道你们有没有听说，14之前其实也做了七七八八，因为整个基本上也是copy的中芯的制程，14基本上做得也差不多了。但是因为美国的制裁之后，其实设备还是卖不进来，所以它们暂停了14，所以华力主要以28为主。对中芯我觉得影响不大，而且现在中芯在临港的泥城，然后在北京以及在天津都宣布了扩建，而且是去年它们会上是说今年的资本基本上不会削减，还是按计划投资，之前它们的说法是这些厂都是12寸，主要是为了用来扩产28nm。因为28nm技术节点，根据一些专家或者台积电以前那些说法，台积电你别看它，现在28占了它的营收还有将近超过10%，所以28技术节点停留的时间会很长，而且它很成熟。然后28它又不算比较low的制程，好多的不管是哪个方面，汽车芯片也好，汽车芯片对于28相对来说已经是很高端了，其他的一些中低端的手机、PC，可能都需要28这个制程，所以它停留时间会很长。大概是这样。

Q:目前长存直接被列入最严的实体清单，长存目前任何美国设备或者美国技术都无法买到？

ES:没错，现在确定的是official的这些美国的头部商家确实是买不到了。但是我是有听说，因为我在那边也support过，也认识很多人，现在这个也很敏感。它们第一寻找国产替代，当然这个路很长，但是现在已经把这个提高为最高等级了，它们内部成立了一个国产替代的委员会小组，专门做这个事情。目前它线上能生产，但是就像我跟你讲的，设备已经有了，但是零部件是一个大问题，因为零部件消耗品，坏了，或者是有些是一次性换掉的。之前我是听说10月7号颁布这个禁令之后，它们就开始行动了。它们有些什么办法？第一，从韩国、日本那边找替代品，日本那边可能主要是做替代品，韩国那边主要是二手零部件，它可以曲线的有一些方法维持一阵子。一厂暂时还没有停滞，还在做生产，不然的话。长存裁员你们也知道了，一部分是为了缩减成本，另外一方面它现在产量方面来讲也有所收窄。但还是在生产，有生产就有消耗，所以零部件现在对它们非常重要。

Q:所以相较于长存，长鑫、中芯、华力就只限于高端制程的美国设备无法进口？

ES:你理解得没错。

Q:在这样的情况之下，10月7号美国直接颁布了美国技术的出口限制禁令，1月左右，日本、荷兰又跟进说可能在设备方面也会有出口的限制。在这段期间之内，您观察到日本、韩国包括欧洲的设备和零组件厂商，10月7号之后对于中国的出口都有什么样的变化？

ES:怎么讲呢？美国这边就是想拉拢日本、荷兰，这个是正常的，1月底基本上达成协议了，得到的消息是肯定日本会跟进。荷兰那边我就不是很清楚了，但是肯定也会跟进，具体光刻机那边什么时候限制不是很清楚。但是光刻机有一个不太好的消息是，据说连DUV，就是深紫外光的设备都会禁，这个现在还没有确切消息，而且具体什么时候不知道。日本这边比较明朗，我们也大概清楚。日本基本同意美国的一起加入，具体的限制措施基本上会follow美国的这一套，就是logic的话是14及14以下，memory这边3D是128以及128以上，DRAM也是D18以下。但是日本要通过修改法律的形式来达到限制出口，这里面修改法律需要时间，内部来讲是可能大概2-3个月的时间，那可能会在3月或者4月，或者再晚一点，可能5月会正式announce。目前来讲，尤其是日系头部厂商来讲，还是能够出货给任何一家的，包括长存。

Q:所以可以理解为10月7号之后，长存、长鑫、中芯加大了和日系或者是其他的非美的供应商的合作强度，或者是拉货的力度？

ES:当然。尤其是因为日本是有一些设备，国产设备目前来看可能暂时还不一定完全跟得上它的技术，所以中芯也好、长存也好、长鑫也好，它们可能会囤一部分日本的设备。说法是日本的这个应该是6月，也是像美国10月7号一样全面禁止，可能还有3-4个月的时间。

Q:国内头部的设备厂商，比如中微、北方华创、屹唐、拓荆等等，在更先进的14nm以上或者128层以上的相关设备零组件采购方面，是否也会面临限制？

ES:是的，你说得对。零部件虽然我们叫国产设备，但是你这个国产设备上非美的parts有多少，这个就要去想一想。我们了解下来所知道的，因为这行业圈子也小，中微的设备的非美的零部件率做得是最好的。它们很早以前，2018年中芯那一次的时候，它们内部就已经有共识是不知道以后美国会再来一些更严的还是怎样的一些东西，不清楚。一旦限制了，如果我这个tool上、机台上有50%的零部件都来自于美国、欧洲，那后面一样一塌糊涂的，所以它们现在做得是最好的。华创那边其次。但是大家现在都有共识了，现在基本上非美的两家至少60%以上都是能达到的，但是还有一些美国替代品绕不开的东西，有几大非常key的parts是绕不开的，可能路就比较长了。那就涉及到美国零部件它不供应这些parts，如果它真的完全响应美国的号召，一点都不给供应的话，那确实还是比较麻烦的，对于国产设备来讲也是比较麻烦的。零部件里面有几个非常关键的东西，我个人暂时来看，至少1-2年内可能寻求。但是这里面怎么讲，我们叫非美，我可以寻求日本的、或者寻求欧洲的、或者寻求韩国的，这个是要看国产设备是怎么想的。我个人认为它们现在肯定也是这么做的，先是寻求欧洲的能够替代美国的，这个跟美国的parts的精确率或者品质来讲应该是差不多的，可能有一些瑕疵，其次再是寻求纯国产的替代。

有几个关键部件是，射频发生器我们叫RFgenerator；第二个是ESC，我们叫E-chuck，就是wafer传送到设备里面去得放在一个台子上，那个东西叫E-chuck，它是静电吸附的；还有一个就是真空压力表。这里面国产替代最有可能的或者是最先能够实现的应该是ESC，就是放wafer平台的这个东西，难度最大的是真空压力表。真空压力表这个东西是一个军用管制品，非常小的一个parts零部件，但是它是能够精确控制腔体里面压力的一个非常关键的零部件。但在目前来看，这个是美国产的，国产的我们先不提，国产现在离这个距离实在是太远了，根本没办法精确控制到这种毫托级别的压力。比如说一般真空的腔体里面10毫托、20毫托的腔体压力一定要控制住的，也就是离真空差这么一点点，一直保持，要通过压力计来控制。现在欧洲是有一家替代商的，但是精确度跟现在美国这家比有一段差距，它能够精确控制，但是不稳定，你过个2-3天再去看，它这个零点校正就飘了，这个是比较讨厌的事情。那晶圆这个东西又很金贵，你不能是说我要长期地，设备、fab是24小时运转的，所以这个东西。其实华创我是知道它很早以前就寻找真空压力表的替代了，就寻找的欧洲的这一家。但是它们卖到客户那边去的话，客户抱怨很大，真空压力表很麻烦，每天都得派人去调，校正它，目前还没达到像美国这一家的精度。那国产的路就更长了，我了解下来，具体哪一家其实我现在也不好透露，这个有2家，但是你别说距离美国的了，距离欧洲那家也是差得非常大。所以这是很要命的一个东西，就看比如说国产设备第一，现在我不知道这个压力表卖到比如中微也好、北微也好，它卖到中微、北微的话，现在能不能卖我就不清楚了，是不是以前它们囤过很多也不清楚，至少我个人觉得它们现在应该在囤。上次我有个朋友跟我讲过，已经开始囤欧洲这一家的真空压力表了，这是对的，总比后面机台卖不出去强，你机台上缺了这个东西卖不出去的，不能生产的。

像ESC和RFgenerator，国产的路比较长，但是至少不会像真空压力表拉的差距这么大，我觉得1-2年之内有希望能够做到的。况且像ESC和射频发生器，日本做得是比较好的，日本现在也还没有announce正式的管制范围，所以它们也可以大批量采购，应该没有问题。而且现在像华创包括中微，好多ESC和射频发生器已经开始采用日本的了，日本的因为精工做得还是不错的，还有Toto做的ESC，做得还是很不错的。国产，ESC我觉得差不多了，基本上有一些厂家能够做到跟日本媲美的水平了。射频发生器的话，因为它里面涉及到脉冲，没有脉冲的话其实国产基本上也能做到一定水平了，涉及到脉冲，就比较advance一点，可能还要努努力。大概是这样。

Q:美国的禁令针对14nm以及更先进的制程，拿刻蚀设备为例，比如说中芯国际在做28nm的时候，它的刻蚀设备机台采购Lam、AppliedMaterials，是否28nm制程也受到了影响？28和14可能会有一些共用的技术，美国是直接把这种设备28nm的也禁掉，还是就允许你28nm但要在后台做监测？

ES:这个就看买家和卖家怎么达成协议了。你说得没错，28nm的好多设备其实是可以用来做14nm的。理论上来讲，它买设备有一个标书或者是有一些contract，只要中芯说我是买来用来做28的，Lam也会说你如果用来做14，可能会受到美国政府的追究责任什么的，那大家official上面agreement一下就没问题了，设备是可以正常出的。但是买进来之后，就看中芯怎么用了，这个不太好查的。所以你这个说法是对的，就是它买28的机台其实可以用来做14的，没错，是的。但是万一美国查起来的话。不知道你们有没有听说，其实在美国10月7号颁布这个禁令之后，长存还没有进入实体清单，只不过是受到一个list，就是不安全list，但是还没有进入黑名单。那在它12月底宣布了进入黑名单这2个月之间，美国是有派人去长存稽核的，有的。所以这个东西就看中芯它买了所谓的28的Lam的、Applied、TEL的设备，它用来生产14nm。如果美国真的要查，因为它买的是美国的设备，美国是有权去查这种东西，就是有没有涉军用或者什么的，那一旦查到了就不太好看，但是我觉得美国也不至于来实地查吧。

Q:这种只能通过现场的尽职调查才有可能是吧？有没有可能通过一些机台的数据直接查明？

ES:机台的数据。通过终端产品，比如说中芯已经生产出14了，美国拿去分析这一道制程用没用Lam的制程、用没用TEL、用没用中微，这个查不到的，必须要到现场去拉机台上的一些数据才可以。

Q:如何对比中微和北方华创目前整体的技术能力和发展机会？

ES:首先，国内的两家龙头就是中微和华创，这两家在2018年以前可以说井水不犯河水，因为两家做的产品不一样，一个叫所谓的ICP电感式耦合，一个是CCP电容式耦合。电感式耦合主要是用来吃一些单晶硅、多晶硅、金属这些东西，是用ICP来做的，那北方华创，这个是它们的专长，而且一直以来基本上都是做ICP为主的，CCP基本上没做过。中微主要就是电感式耦合，电感式耦合就是这种接触窗、接触孔，我们叫trench，介质蚀刻。两家其实各做各的，很少有去打扰它。就技术来讲，中微的CCP做得是相当出色的，华创的ICP可圈可点。到了2018年以后，中微开始就做ICP了，而且发展得非常迅速，到去年为止，它的ICP我个人感觉，我虽然做etch的，我做ICP比较少，但是这个基本上是通的。中微的ICP做得，这么讲，中微有ICP已经卖到英特尔去了，而且做的是很关键的制程，很key的layer，而且卖了十几二十几台，ICP，那华创就没有卖到英特尔过。中微我听说是从2016年、2017年就开始做ICP了，它因为有CCP的沉淀，所以做起来很快。再说华创，华创的ICP，其实我个人觉得华创就etch干刻来讲做得一般般。因为华创它的摊子铺得很大，不光是蚀刻，它CVD这些东西做得也还是不错的，它的revenue其实这几大块里面，还有太阳能这些东西，其实干刻是垫底的，华创里面。它其实40、45的ICP，像前道的这种activeAA、gatepoly做得也基本上成熟了，北京的像40、45这些基本上都用它的了。但是到了28，后面甚至到了14，它在做这种多晶硅、单晶硅蚀刻的时候就是一直没有那么大的突破，尤其是14。14nm它选择一开始跟中芯做，中芯不要它做的，第一中芯当时14在那个谁来了之后赶进程，不想在国产上消耗太多时间。后来华创找的是ICRD，也是同样进入了黑名单的上海集成电路研发中心，合作。其实开发的时间很久，大概我觉得2-3年时间，14nm的单晶硅蚀刻才有一些突破，但是切入点已经很慢了，在中芯那边基本上切入不进去了，中芯14根本就没有要华创的设备。所以华创的ICP我觉得做得很一般。再说华创的CCP。因为它看到中微CCP做好了之后，中微就开始做ICP，而且做得还不错，它们也眼馋，从2021年开始立项，它们成立了一个研发三部，专门做CCP，专门请专家来做的。现在将近不到一年半，前一段时间我也问过一些朋友，说做CCP基本上还是一些比较低端的。好像整个平台是打好了，但是现在要想打入到厂里面去的话，好像小厂的一些低端的制程打算用它们的CCP做一些东西。

所以从现在中微的形势来看，我觉得中微蚀刻起家，ICP、CCP现在都做得不错，它现在还做MOCVD、外延这种东西都在做，而且还有LED蓝光这种东西，南昌那边也成立了一个生产研发中心，所以中微我觉得势头还是比较大的。而且号称，也不是号称，媒体报道也好，当然中微有辟谣，就是说我们的设备已经打入到台积电的5nm的工艺。当然5nm我们后来觉得这简直在吹，那实际问下来人家并没有吹，就是它确实打入了台积电的5nm的制程，但是不是keylayer，不是特别关键的工艺，关键工艺基本上还是掌握在头部厂商里面。但是这也表明了中微的非keylayer，就是中微打入的在gate或者fin那道里面的一个bulk制程，也就是在刚才一开始提到的litho-etch-litho-etch里面的某一道制程。其实那个要求也是很高的，台积电的要求一直很高，一般能打入台积电这个的话，其实很不容易的。它那个线宽要做得非常小，所以中微在国内里面算龙头我觉得一点都不为过。而且中微它运气比较好，中微切入点，在2016年、2017年武汉的长江存储起来的时候，宣布要投那个的时候。其实一开始作为我们头部厂商，那时候紫光说要在武汉建一条3DNAND线，3个厂一个厂10万片的，包括我们头部厂商觉得它在吹的，圈国家钱。

但中微不一样，不管它是有内部消息也好还是怎么样，它们非常重视的。所以从一开始它们做32层趟趟水的产品制程，它就非常重视，中微，在那深耕了好几年，现在中微的干刻，你可以看它的年报，干刻产品的revenue里面，武汉的收入占了1/3到40%的revenue，你想这个有多夸张。我因为在长存那边做的时间很长，基本上长存一开始建厂的时候，我们就开始有人过去了，我是最早的。那我们就一点一点看着中微，一步一步蚕食这种国际大厂的一些layer。你看现在长存128那个，就是它现在一厂128量产的那个，整个中后段基本上，还有所谓的最后面一道passivation可能现在还不是中微的，其他的全部都是中微的。整个后段其实也很吃chamber的，因为后段是金属连线，金属连线就是不停在重复的，第一层metal、第二层metal、第三层metal，一旦拿下来你好几层metal就是chamber很厉害的。甚至我们去年有统计过中微总的腔体数，现在在武汉长江存储一厂里面的设备的腔体的量，其实是超过日本头部公司那个量的，还没达到LamResearch泛林的那个，Applied就更惨了，Applied在etch这边基本上已经全军覆没了。

所以中微在YMTC的marketshare非常好。然后它做的东西并不是我们想的那么low什么的，其实做出来基本上跟头部大厂的，因为要不然它不可能量产的，量产就是良率要达到它们YMTC客户的要求的。你可以看TechInsights的那些东西，我们一看后段到中段整个全部都是，包括YMTC的Xtacking那个技术，它们独一无二的那个专利技术，两片waferbonding的，bonding里面wafer连接起来这些东西也都是中微做的。中微在YMTC是弄得很不错的，你看华创marketshare，中微在YMTC的蚀刻里面，它的市占率已经超过日本那家公司的marketshare，超过30%了。再看华创，像YMTC这么大的，YMTC其实在国内内存里面，国内就一家，做得真的是很快、很好，不像长鑫。

北方华创在YMTC的marketshare两位数可能还不到，10还不到，做得不好。所以个人比较下来，国产设备前景来看，但是你看华创它纯国企，然后摊子铺得比较大，将来中微怎么比我也不是很清楚。中微现在我觉得它ICP也做得很不错，如果有突破的话，我觉得将来可期反正，华创它可能蚀刻少一点或者怎么样，其实不太影响它的那个，就看它怎么发力了。我个人是这样认为的，前景方面来看我比较看好中微，北微行动力方面、执行力方面稍微差一点，可能与背景有关。

Q:YMTC的3DNAND刻蚀机的逻辑，和中芯国际的logic刻蚀机应用的逻辑是不是有一定的区别？这两块市场的刻蚀设备应用逻辑有什么区别？

ES:有区别，逻辑和3D来比的话，主要的一个就是逻辑它需要的是高精密的。中微它最早2004年建厂，后来开始慢慢打入，它是由低端产品开始进入市场，所以它便宜，这个是很多厂商看上的一点。所以便宜只能做一些非常低端的，那大线宽的，对这种一片wafer面内的均匀性或者什么要求不是特别高的，它可以做的。那logic不行的，logic不管是28也好，14就更不用说了，40、45，客户。你也可以从另外一方面了解到，就是logic一个wafer做出来的芯片的钱，它卖出来的钱和memory一片卖出的钱完全是不可同日而语的。那logic良率大部分人家要做到，像英特尔以前都要求做到99%的良率的，就是说每一个chip，哪怕曝完整个die，最边缘的部分我也能用得上，这个要求非常高，所以要求你的精密度要非常高。3D就不一样了，我个人理解下来它稍微粗糙一点，它主要是堆叠，3D就是像建楼房一样，堆叠完了之后，它的尺寸其实是很大的。比如说你这个logic14nm它一个线宽要control到10nm、7nm，所以连1nm你都不能shift，1nmshift你就1/6没了，所以这个是不行的。那3D里面不管是孔也好、槽也好，它是很大的，都是几百纳米的这样一个尺寸。因为3DNAND是存储电子的，叫非易失性存储，所以它是要存储电子，它就要存储得越多越好，存得越多越好它就不可避免地，原来2D的flat的存储不了那么多，后来就发明了3D堆叠。堆叠这里面它做的这样一个存储电荷的地方不要太小，反而要大一点，然后把它吃下去，能通就行了，不要有很深的这种孔，不要有太扭曲的现象，它就OK。而且像3D也好、DRAM也好，它的良率要求80以上就可以量产。一般像DRAM合肥长鑫那条line，只要良率做到85%，我就可以卖钱了，当然了这个钱卖得没有logic那么贵。所以它这里面是有要求的。所以对比下来，3D里面的设备的generation和logic这边来比，logic一般比如说都是同种类型要刻一个蚀刻，一个槽也好，一个孔也好，logic里面的设备的迭代至少要比memory这边高出1.5代或2代的水平。就是3D这边的话，它的设备的需求量是非常多，但是对于精度方面，精度control或者什么要求是稍微次于logic的。当然后面随着现在像美光已经第一家宣布量产232层了，随着后面300层或者是更高，因为去年海力士不是预测3DNAND堆叠技术可以做到1,000层嘛。随着技术越来越难，它对设备的要求当然不像我讲的这种粗糙型的了，它可能也会要求越来越advance一点。我大概是这么理解。

Q:关于中微和华创的目前最先进能达到什么样的技术等级？比如中微的CCP和ICP在逻辑这一块，目前能达到的技术水平多少纳米，层或者具体的工序是哪一道？

ES:当然有了解。Logic这边，整体国产设备都比较落后、都比较差，市占率来讲都比较差，可以说到28这个技术节点的话，中微和华创我觉得都差不多。那28这个技术节点，我说逻辑，逻辑的话华创基本上前面的像AA、poly也是能做，但是没有量产经验。可能现在55这个generation，华创、ICP是能够有量产经验的，不管是中芯或者是，北方中芯，尤其是北京中芯，华创深耕得比较多。刚才讲了两家都在开始做CCP、ICP，但是logic比较例外，还是个人管个人的这一摊。Logic里面，华创还是主攻ICP，中微还是主攻CCP，我目前为止还没有听说比如中微的ICP有进入到logic厂里面的，或者华创的CCP有进入到logic厂里面，没有，因为logic要求比较高，所以个人都还是专攻个人的那一块。中微在CCP里面做得也不是很好，但是它现在基本上做到40、45这个generation的话，后段的一些大线宽的槽和孔，中微基本上已经能够有量产经验了，尤其是在中芯里面。到28的话，中微和华创我了解下来有一道非常关键的，在logic里面，后段的CCP里面的一个叫金属掩膜大马士革工艺，不知道你有没有听说过。这个其实是日本头部厂商那一家公司做得最好，marketshare基本上100%全是它做的。

中微其实从2014年开始就在中芯那边做金属掩膜大马士革工艺了，但是一直都没赶上好时机。40那个generation，中微、Lam、日本那个厂商同时PK的，但是最后被日本那个厂商给拿下了，Lam也失败了，中微也失败了。后来又面临一次机会是上海中芯要开始量产28和14，有一部分40、45的技术要transfer到北京去，这个时候中微觉得也是个机会，想再去趁这个transfer的机会能不能之前没打好的一些东西继续找北京的人再做一下。后来做的结果也还是在reliability，我们叫可靠性方面，做得也确实还是不如它的日本那家做得好，所以又丢了。所以在logic里面，back-end后段的金属掩膜大马士革工艺是非常重要的一道工艺。第一，后段全是重复的，刚才讲过了，你一旦一道拿到了，而且逻辑的后段的金属层数非常多，一旦拿到了1层，10层全是你的，这个又很那个。中微一直在做，但是目前了解下来还没有一家，不管在哪个技术节点。金属掩膜大马士革工艺是在28这个技术节点才开始有的，但有一些家像联电、还有一些其他的小的fab，其实从40、45、55这个generation就开始用这个工艺了，28是所有厂家都用了。没有做金属掩膜大马士革工艺的时候，40、45中微还是后段有一些制程，它是分开做的，就是沟槽和通道孔，这两道是分开做的。那通道孔的话，中微在40、45这个generation，就还没有用到大马士革工艺的时候，它已经是拿到PO了，有量产经验了。但是28这个generation全部都切换到金属掩膜的大马士革工艺的时候，中微目前还正在，可能有的是在客户的现场验证中，还没有达到完全量产的水平。

华创主要是前道，前道marketshare也很少，就是一些单晶硅和多晶硅的蚀刻，它现在我了解下来也就到40、45，中芯可能有小量产，28的也没有。综合下来看logic工艺，中微和华创两家差不多，由于工艺的特殊性，而且40、45、28已经是成熟工艺了，除非新开的fab愿意走国产线路，它们可能才有更多的机会。比如说像嘉定的ICRD就是集成电路研发中心，那条线其实内部来讲是华为那条线，它肯定要走全国产能，可能中微是一个机会。包括其他的现在南方开的、深圳即将要开的一些fab，包括杭州、北京京城这些开的，我觉得国产设备后面是有希望。再加上美国这次的这个，可能作为fab来讲，要坚定一下信念，还不知道美国后面会做出什么事情呢，对吧。

Q:中微的ICP发展比较迅速，中微的ICP打进了英特尔的十几纳米或者是20纳米的制程？

ES:不，英特尔不是logic，是3D。

Q:中微能打进5nm的某一个非关键制程，那为什么没有进入中芯的14或者28nm那一块？

ES:这里面就涉及到还是一开始那个问题，是台积电。台积电的5nm它是用EUV做的，EUV做的话它直接一步曝光显影就可以做了。那中芯这边的14nm还有7nm它是用多重曝光的方式，以前它一直沿用的是其他家做的，那中微再插进去的话就比较晚了。中微它走台积电这条路线其实也非常早，它一开始成立之后就在台湾设立分公司了，它在那边深耕了很久。台积电因为技术路线也是最前沿的，它切入进去之后又一直跟它们保持联系，所以台积电觉得后面你达到我的要求了，那我就可以用你，而且价钱又比其他家便宜，所以用了。那中芯它是后来，你要跟别人家去抢的话其实很难的，因为不同的chamber，你要做到相同的工艺，chamber本来design设计就不一样，你强制要求我要做一模一样的东西出来，其实是有点强人所难。当然了，中芯现在14nm前道的那些非criticallayer，中微我上次听说已经开始验证得差不多了，7nm的话我没听说，14nm的话我是知道类似于台积电这种noncriticallayer已经开始可以做了。

Q:国内的在蚀刻现在主要是拿纳米制程来判断技术的提升标准，以28和14nm这个logic为主，实现设备全流程国产替代的可能性还有时间该如何看呢？

ES:你说刻蚀设备在14nm这个generation全国产化的代替是吧？28的我觉得2-3年全国产代替是有希望的。28和14我个人觉得差别比较小，差别不是特别大，顶多就是前段有一些工艺稍微有点差，但是后段如果一旦28能做出来，刚才我讲的最重要的大马士革工艺能做得出来的话，14和28可能也就差个一年、半年我觉得差不多没有问题。14和28的话，主要前道有一些工艺华创那边可能需要做一些突破。28的我觉得会比较快，如果现在中芯宣布了说28马上要开始大量铺开的话，不管是军备竞赛也好，还是中国要寻求从28开始突破，我觉得快的话一年半，能全国产替代是有希望的。

Q:这种预估良率能达到多少？

ES:预估良率，logic的话，我个人觉得一年半、2年达到跟现在美国产线这种水平了，应该是可以。我觉得良率也能达到目前的水准，九十几以上应该是问题不大的，我个人认为是有这个希望的。

Q:您有什么重要的话题或者您觉得有需要补充的地方吗？

ES:再补充一点。国产里面还有一个屹唐你们没提到，屹唐是买的美国的Mattson，那干刻里面，以前Mattson又不是那什么，没什么意义，Mattson不是做蚀刻起家的，它是做干法去光刻胶的。因为后来看到蚀刻的好像摊子比较容易赚钱，所以它们就在原来做干刻胶remove的这种腔体里面，随便搭了一个干刻的设备。其实它现在要走的路，它也是想走ICP，走的路太长了。曾经在YMTC那边有一些突破，但是后来量产线有一个不好的事情，它repeat的ability不好，run个几片还行，run个几千片、上万片的出了很大的case，导致它的reputation很差，就是报废了很多片，现在基本上也不能立足。但是它在退火、在光刻胶的remove方面做得还是不错的。所以干刻方面屹唐要走的路还很远。

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